รายการ: สารตั้งต้นของ Aln Ceramic
วัสดุ: Aln
ขนาด: 12 0 มม. x 120 มม. ความหนามากกว่าหรือเท่ากับ 0.1 มม.
รูปร่าง: สแควร์และปรับแต่ง
กระบวนการ: การกดแบบแห้งหรือการแตะการเผา,...
สารตั้งต้นอลูมิเนียมไนไตรด์
อลูมิเนียมไนไตรด์ (ALN) เป็นวัสดุเซรามิกขั้นสูงที่มีค่าสำหรับค่าการนำความร้อนที่ยอดเยี่ยมและคุณสมบัติฉนวนไฟฟ้า . ที่มีลักษณะการทำงานระหว่างอลูมินาและเบริลเลีย ALN ได้กลายเป็นวัสดุสำคัญสำหรับอิเล็กทรอนิกส์พลังงานสูง
คุณสมบัติสำคัญของสารตั้งต้นอลูมิเนียมไนไตรด์
| คุณสมบัติ | มูลค่า/การจัดอันดับ | ความสำคัญ |
|---|---|---|
| การนำความร้อน | 170-220 W/m·K | เหนือกว่า Alumina (20-30 w/m · k) |
| ความต้านทานไฟฟ้า | >10⁴Ω·ซม. | ฉนวนที่ยอดเยี่ยม |
| สัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน | 4.5 ppm/ องศา | จับคู่ซิลิกอน (4.2 ppm/ องศา) |
| ความแข็งแรงของอิเล็กทริก | 15-20 kv/mm | ความต้านทานแรงดันไฟฟ้าสูง |
| ความแข็งแรงในการโค้งงอ | 300-400 MPA | ความทนทานเชิงกลที่ดี |
| อุณหภูมิการบริการสูงสุด | >1, 000 องศา | ความเสถียรของอุณหภูมิสูง |
ข้อดีที่สำคัญของ Aln
✓การจัดการความร้อนที่เหนือกว่า (5-10 x ดีกว่าอลูมินา)
✓การจับคู่ CTE ที่สมบูรณ์แบบสำหรับซิลิคอน/sic เซมิคอนดักเตอร์
✓ประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูงที่เชื่อถือได้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง
✓ทางเลือกที่ปลอดภัยต่อสิ่งแวดล้อมสำหรับเบริลเลีย (Beo)
✓ลักษณะความถี่สูงที่ยอดเยี่ยมสำหรับการใช้งาน RF
แอปพลิเคชันของพื้นผิวอลูมิเนียมไนไตรด์ (ALN)
| ภาคอุตสาหกรรม | แอปพลิเคชันสำคัญ | ตัวอย่างเฉพาะ |
|---|---|---|
| อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และพลังงาน | บรรจุภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์พลังงาน พื้นผิว LED ส่วนประกอบ RF/ไมโครเวฟ การจัดการความร้อนด้วยเลเซอร์ |
IGBTS, MOSFETS ไฟ LED พลังงานสูง/รังสียูวี ส่วนประกอบ 5G Sinks ความร้อนไดโอด |
| ยานยนต์และอวกาศ | ระบบรถยนต์ไฟฟ้า โทรคมนาคม แอปพลิเคชันอวกาศ |
โมดูลพลังงาน สถานีฐาน 5G ระบบดาวเทียม Comm |
| อุตสาหกรรมและพลังงาน | การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เทคโนโลยีเซ็นเซอร์ ระบบพลังงาน |
อุปกรณ์ประมวลผลเวเฟอร์ เซ็นเซอร์อุณหภูมิสูง ระบบพลังงานแสงอาทิตย์/พลังงานลม |
กระบวนการผลิตของสารตั้งต้น ALN
| ขั้นตอนการดำเนินการ | วิธีการและพารามิเตอร์ | รายละเอียดทางเทคนิค |
|---|---|---|
| 1. การสังเคราะห์ผง | โดยตรง การลดความร้อนจากคาร์บิ |
Al + N₂ @ 800-1200 องศา al₂o₃ + c + n₂→ 2Aln + 3 CO |
| 2. การสร้างวิธีการ | การหล่อเทป กดแห้ง กด Isostatic |
0.25-1 มม. ความหนา รูปร่างเรียบง่าย รูปทรงเรขาคณิตที่ซับซ้อน |
| 3. การเผา | ช่วงอุณหภูมิ โรคเอดส์ บรรยากาศ |
1700-1900 องศา y₂o₃/cao (3-5%) n₂/ลดก๊าซ |
| 4. โพสต์การประมวลผล | เครื่องตัดเฉือนเลเซอร์ การรักษาพื้นผิว การจบ |
การตัดที่แม่นยำ ti/pd/au metallization ra <0.1μmโปแลนด์ |
คุณสมบัติเปรียบเทียบของพื้นผิวเซรามิก
| วัสดุ | การนำความร้อน (w/m · k) | CTE (ppm/ องศา) | ปัจจัยต้นทุน | ข้อได้เปรียบที่สำคัญ |
|---|---|---|---|---|
| สาปแช่ง | 170-220 | 4.5 | สูง | ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ไม่เป็นพิษที่ดีที่สุด |
| Al₂o₃ | 20-30 | 8.0 | ต่ำ | มาตรฐานที่คุ้มค่า |
| beo | 250-300 | 7.5 | สูงมาก | การนำไฟฟ้าสูงสุด (เป็นพิษ) |
| Si₃n₄ | 20-30 | 3.2 | ปานกลาง | ความแข็งแรงเชิงกลที่ดีที่สุด |
เราเป็นผู้ผลิตสารตั้งต้นและซัพพลายเออร์อลูมิเนียมไนไตรด์มืออาชีพในประเทศจีนโดยมีความเชี่ยวชาญในการให้บริการที่กำหนดเองที่มีคุณภาพสูง . เรายินดีต้อนรับคุณอย่างอบอุ่นในการขายส่งสารตั้งต้นอลูมิเนียมไนไตรด์คุณภาพสูงในราคาที่แข่งขันได้จากโรงงานของเรา .}}}